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行業(yè)動(dòng)態(tài)

中國(guó)臺(tái)灣芯片產(chǎn)業(yè),太強(qiáng)了

來(lái) 源:  時(shí) 間:2024-10-24

在工研院舉辦的「眺望2025 產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)研討會(huì)」 上,IEK 產(chǎn)業(yè)分析師表示,2024 年中國(guó)臺(tái)灣IC 產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值正式突破5 兆元關(guān)卡,年成長(zhǎng)預(yù)估達(dá)22%,高于全球市場(chǎng)平均水準(zhǔn)。

 

IEK 指出,隨著2024 年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的蓬勃發(fā)展,產(chǎn)業(yè)內(nèi)的技術(shù)創(chuàng)新與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)日益激烈。根據(jù)WSTS 預(yù)測(cè),全球半導(dǎo)體產(chǎn)值預(yù)計(jì)將突破6,000 億美元,年成長(zhǎng)16%,反映市場(chǎng)強(qiáng)勁的表現(xiàn)。運(yùn)算終端市場(chǎng)的需求持續(xù)成長(zhǎng),特別是高階運(yùn)算芯片在智能型手機(jī)、AI 運(yùn)算、車(chē)用電子與伺服器等領(lǐng)域的應(yīng)用,不斷推動(dòng)產(chǎn)業(yè)快速成長(zhǎng)。

 

另外,隨著半導(dǎo)體技術(shù)持續(xù)進(jìn)步,先進(jìn)制程和先進(jìn)封裝技術(shù)正成為推動(dòng)整個(gè)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的核心力量,從而促進(jìn)更多產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。在半導(dǎo)體制程領(lǐng)域,2 納米以下的制程技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)愈演愈烈,而原子層沉積(ALD) 等薄膜沉積技術(shù)在納米芯片制造中也扮演重要角色。然而,隨著電晶體微縮技術(shù)接近瓶頸,摩爾定律的進(jìn)一步延伸面臨挑戰(zhàn),異質(zhì)整合封裝技術(shù)如FOPLP、2.5D 封裝和3D 封裝,成為技術(shù)突破的關(guān)鍵,并為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)造新契機(jī)。

至于,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來(lái)走向也受到各個(gè)國(guó)家和地區(qū)政策的深遠(yuǎn)影響。美國(guó)芯片法案、歐盟芯片法案,及中國(guó)臺(tái)灣和日本等產(chǎn)業(yè)發(fā)展計(jì)劃,正在重塑全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的生態(tài)系。中國(guó)臺(tái)灣作為全球半導(dǎo)體制造的核心重鎮(zhèn),將在政策支持和技術(shù)創(chuàng)新下,繼續(xù)扮演關(guān)鍵角色。 2024 年預(yù)估臺(tái)灣IC 產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將達(dá)新臺(tái)幣5 兆3,001 億元,年成長(zhǎng)率達(dá)22%。在AI 和高效能運(yùn)算等應(yīng)用需求的推動(dòng)下,展望2025年臺(tái)灣IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將達(dá)新臺(tái)幣6 兆元,預(yù)估年成長(zhǎng)率為16.5%,持續(xù)推動(dòng)臺(tái)灣IC 產(chǎn)業(yè)邁向新紀(jì)元。

 

而在半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)與技術(shù)革新方面,隨著全球半導(dǎo)體制造技術(shù)的不斷創(chuàng)新,2024 年將成為全球暨中國(guó)臺(tái)灣IC 制造業(yè)的重要轉(zhuǎn)折點(diǎn)。全球IC 制造業(yè)正面臨多項(xiàng)技術(shù)變革,市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)日漸激烈,各大廠商加速布局先進(jìn)制程技術(shù),爭(zhēng)奪未來(lái)市場(chǎng)的主導(dǎo)地位。臺(tái)灣IC 制造產(chǎn)業(yè)在全球半導(dǎo)體版圖中持續(xù)展現(xiàn)技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),預(yù)估2024 年臺(tái)灣IC 制造產(chǎn)值將再創(chuàng)新高,達(dá)到新臺(tái)幣3 兆3,957 億元,較2023 年成長(zhǎng)27.5%。

 

IEK 表示,在先進(jìn)制程技術(shù)方面,臺(tái)積電于A16 制程中導(dǎo)入超級(jí)電軌技術(shù),并預(yù)計(jì)于2026 年引領(lǐng)市場(chǎng),三星與Intel則計(jì)畫(huà)在2 納米制程階段采用相同技術(shù),顯示先進(jìn)制程競(jìng)爭(zhēng)將進(jìn)一步升溫。這三大半導(dǎo)體制造商的技術(shù)布局,不僅深刻影響全球晶圓制造市場(chǎng),也將為未來(lái)高效能終端應(yīng)用產(chǎn)品提供更多創(chuàng)新機(jī)會(huì),尤其在智能型手機(jī)、PC 和伺服器等領(lǐng)域,仍是驅(qū)動(dòng)IC 制造產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)的核心動(dòng)力。

而除了晶圓制造先進(jìn)制程的技術(shù)進(jìn)步外,高頻寬記憶體市場(chǎng)也成為2024 年值得關(guān)注的新焦點(diǎn)。 SK 海力士、三星與美光三大競(jìng)爭(zhēng)者在HBM 市場(chǎng)中持續(xù)擴(kuò)大其在HBM 市場(chǎng)的市占率與技術(shù)發(fā)展。隨著HBM3E及HBM4 等新一代技術(shù)的推出,記憶體的頻寬與容量將進(jìn)一步提升,并成為高效能運(yùn)算應(yīng)用的核心關(guān)鍵技術(shù)。

 

展望2025 年,全球暨中國(guó)臺(tái)灣IC制造產(chǎn)業(yè)將持續(xù)在技術(shù)革新與終端電子產(chǎn)品創(chuàng)新應(yīng)用的雙重推動(dòng)下,邁向新的高峰。無(wú)論是先進(jìn)制程技術(shù)的競(jìng)賽,還是HBM 市場(chǎng)的成長(zhǎng),各大廠商的技術(shù)布局與資本投入,將深刻影響未來(lái)幾年的產(chǎn)業(yè)走勢(shì)。中國(guó)臺(tái)灣憑借其先進(jìn)制程技術(shù)領(lǐng)先的優(yōu)勢(shì),將繼續(xù)引領(lǐng)市場(chǎng)發(fā)展,并為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來(lái)更多成長(zhǎng)機(jī)會(huì)。

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